اخبار, سخت‌افزار

شروع تولید انبوه حافظه‌های اصلی DDR4 بر پایه فناوری ساخت 1Z نانومتر توسط میکرون

شروع تولید انبوه حافظه‌های اصلی DDR4 بر پایه فناوری ساخت 1Z نانومتر توسط میکرون

کمپانی میکرون در جدیدترین اقدام خود خبر از تولید انبوه حافظه‌های اصلی DDR4 با ظرفیت 16 گیگابایت بر پایه فناوری ساخت 1Z نانومتر را داد. فناوری ساخت اشاره شده در حال حاضر کوچک‌ترین لیتوگرافی موجود در بازار حافظه‌های اصلی رایانه‌های شخصی به شمار رفته و تولید محصولات بر پایه آن کمپانی میکرون را به اولین توسعه‌دهنده موجود در دنیا تبدیل ساخته است. کمپانی میکرون بر این عقیده است که اتمام مراحل طراحی محصولات بر پایه فناوری ساخت 1Z نانومتر می‌تواند بستری مناسب جهت ارائه راهکارهای پر ارزش در گسترده وسیعی از بازارهای مختلف را به این کمپانی اعطا نماید.

فناوری ساخت 1Z نانومتر قادر است تا چگالی بسیار بالاتری را به همراه افزایش اندک کارایی در اختیار توسعه دهندگان قرار داده و هزینه‌های طراحی و توسعه آن در مقایسه با لیتوگرافی‌ 1Y نسل پیشین نیز پایین‌تر می‌باشد. علاوه بر آن کاهش 40 درصدی میزان انرژی مصرفی در مقایسه با فناوری‌های ساخت پیشین از جمله دیگر مزیت‌های این فناوری به شمار می‌رود. این موضوع می‌تواند در کاهش مقدار انرژی مورد نیاز جهت فعالیت ماژول‌های حافظه 16GB DDR4 در مقایسه با مدل‌های هشت گیگابایتی آن‌ها تأثیرگذار ظاهر شود.

فناوری ساخت جدید و منحصر به فرد اشاره شده قادر است تا انعطاف‌پذیری فراتری در استفاده از حافظه‌های DDR4 در گستره وسیعی از کاربردهای مختلف از جمله هوش مصنوعی، وسایل نقلیه خود مختار، اینترنت همراه 5G، دستگاه‌های قابل حمل و تلفن‌های همراه هوشمند، سخت‌افزارهای کارت گرافیک، بازی‌های رایانه‌ای، زیرساخت‌های شبکه، سرور و … را به ارمغان آورد؛ اما به نظر می‌رسد که اولویت کمپانی میکرون در حال حاضر بر پایگاه‌های داده و دیتاسنترهای ارائه خدمات به مصرف‌کنندگان که عطش آن‌ها نسبت به افزایش کارایی، کاهش میزان انرژی مصرفی و صرفه‌جویی فراتر در هزینه‌های نهایی سیری ناپذیر می‌باشد معطوف شده است. در انتها باید خاطر نشان کرد که عبارت 1Z نانومتر بیانگر اندازه تراشه‌های حافظه در محدوده بین 13 تا 10 نانومتر می‌باشد.

منبع: TomsHardware و Guru3D

نوشته‌های مشابه

پاسخی بگذارید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *