بر اساس گزارشاتی که اخیرا منتشر شده‌اند به نظر می‌رسد سامسونگ قصد دارد تغییرات گسترده‌ای را در استراتژی تولید حافظه‌های فلش NAND خود ایجاد کند. این کمپانی قصد دارد هفتمین نسل از فناوری تولید حافظه فلش V-NAND با 160 لایه یا حتی بیشتر را هر چه سریع‌تر توسعه داده و از آن استفاده کند. بدین ترتیب سامسونگ می‌تواند نخستین کمپانی ارائه دهنده حافظه‌های 160 لایه‌ای NAND در بازار باشد.
هر چه تعداد لایه‌های به‌کار رفته در حافظه‌های فلش NAND بیشتر باشد، ظرفیت ذخیره‌سازی اطلاعات نیز افزایش می‌یابد. علاوه بر سامسونگ، مدتی پیش یک تولیدکننده چینی نیمه‌رسانا تحت عنوان YMTC نیز اعلام کرده بود به زودی تولید انبوه حافظه‌های فلش 128 لایه‌ای NAND را آغاز خواهد کرد.
اما سامسونگ آماده است تا نسل جدید این حافظه‌ها را به بازار ارائه کند. بر اساس گزارشات منتشر شده، این غول فناوری در حال توسعه هفتمین نسل از فناوری حافظه‌های فلش V-NAND خود است که احتمالا از 160 لایه یا حتی بیشتر برخوردار خواهند بود. قلب اصلی این فناوری در واقع فناوری انحصاری سامسونگ تحت عنوان Double Stack یا پشته‌سازی دوتایی است. این فناوری هر بار با ایجاد دو حفره الکترونی در سطح مدار، باعث پشته‌سازی بهینه‌تر و افزایش تعداد لایه‌ها می‌شود.
این در حالی است که فناوری فعلی پشته‌سازی واحد که تولید چیپ‌های حافظه مورد استفاده قرار می‌گیرد، این حفره‌های الکترونی در هر سیکل تنها یک عدد است. انتظار می‌رود حافظه‌های فلش NAND جدید و 160 لایه‌ای 67 درصد «چگالی به ازای پکیج» بالاتری را نسبت به چیپ‌های حافظه 96 لایه‌ای ارائه بدهند. البته این افزایش چگالی ممکن است به سایر عوامل مانند گره‌های جدید نیمه رسانا و PLC (5 بیت به ازای سلول) جدید نیز ارتباط داشته باشد.
خوب است بدانید که سامسونگ در سال گذشته موفق به کسب درآمد 16.517 میلیارد دلاری از بازار حافظه فلش NAND شد که سهم 35.9 درصدی از کل بازار به حساب می‌آمد.
منبع: techpowerup
