کشور چین به دنبال دستیابی به استقلال و عدم وابستگی در بسیاری از صنایع مختلف خود بوده و تأکید ویژه‌ای را در طراحی و توسعه محصولات به‌صورت داخلی و محلی جهت استفاده در حوزه‌های مختلف، به‌خصوص کمپانی‌ها و سازمان‌های دولتی داشته است. بر طبق جدیدترین گزارش منتشر شده توسط ژورنال‌های امنیتی چین، این کشور در جدیدترین اقدام خود فرآیند تولید و ساخت تراشه‌های حافظه دینامیک یا به عبارتی دیگر حافظه‌های DRAM را آغاز کرده و در حال فراهم آوردن زیرساخت‌های لازم جهت خودکفایی در این بخش می‌باشد.
کمپانی ChangXin Memory Technology که در سال 2016 با هدف ارتقاء و افزایش تولید سیلیکون‌های داخلی تأسیس شده است در دوشنبه هفته پیش از اقدام خود جهت آغاز فرآیند طراحی و توسعه حافظه‌های DRAM پرده برداشت. تلاش‌های این کمپانی در جهت جایگزینی زنجیره محصولاتی که هم‌اکنون توسط شرکت‌های خارجی همچون میکرون، سامسونگ و اس‌کی هاینیکس تامین می‌شوند انجام پذیرفته و مسیری مشابه را در حال دنبال کردن می‌باشد. محصولات جدید و تازه‌نفس کمپانی چینی مذکور بر پایه فناوری ساخت 18 نانومتر که توسط سازندگان تحت عنوان نودهای کلاس 10 نانومتری شناخته می‌شوند توسعه پیدا می‌کنند. این موضوع نمایانگر آن است که این کمپانی در مقایسه با رقبای خود و محصولاتی که قصد جایگزینی آن‌ها را دارد عقب‌تر نبوده و به‌نوعی پا به پای آن‌ها در حال حرکت می‌باشد. کمپانی‌های میکرون، سامسونگ و اس‌کی هاینیکس هم‌اکنون در حال استفاده از نودهای دوازده، چهارده و شانزده نانومتری برای توسعه تراشه‌های حافظه DRAM خود هستند، بنابراین تلاش‌های کمپانی ChangXin تاکنون بسیار نویدبخش نمایان می‌کنند.
کمپانی چینی ChangXin نوید تولید و ساخت تعداد 120 هزار ویفر بر هر ماه را داده و بنا دارد تا اولین سری از تراشه‌های حافظه خود را تا پیش از پایان سال جاری میلادی در اختیار مصرف‌کنندگان قرار دهد. این مهم بدون شک درزمینهٔ کاهش هزینه‌های واردات و استفاده از حافظه‌های خارجی تأثیرگذار باشد، اما می‌تواند درزمینهٔ رقابتی نمودن بازار نیز به ایفای نقش پرداخته و یا فقط محدود به بازار کشور چین و حتی استفاده انحصاری و تخصصی می‌شود؟
منبع: TechPowerUP
