بر اساس گزارشات منتشر شده به نظر می‌رسد سامسونگ قصد دارد فناوری تولید تراشه‌های 3 نانومتری خود را در سال 2022 رونمایی کند. علاوه بر این، نسل جدید ترانزیستورهای این شرکت نیز احتمالا در همین بازه زمانی معرفی خواهند شد. در حال حاضر می‌دانیم که سامسونگ در حال کار بر روی فناوری جدیدی تحت عنوان GAAFET است که امکان کنترل به مراتب بهتری بر روی کانال ترانزیستور را ارائه می‌کند.
با این حال، به تازگی سامسونگ جزئیات بیشتری را در خصوص فناوری MBCFET خود نیز منتشر کرده که در فرآیند تولید 3 نانومتری مورد استفاده قرار می‌گیرد. اول از همه اینکه فناوری MBCFET در واقع بخشی از GAAFET است و بدین ترتیب یک محصول مجزا به حساب نخواهد آمد. در واقع این فناوری به عنوان کلاسی در نظر گرفته می‌شود که تعداد زیادی از محصولات ممکن است بر اساس مفهوم آن طراحی شوند.
از نظر عملکرد، MCBFET به گفته سامسونگ حدودا 50 درصد مصرف انرژی پایین‌تر و 30 درصد عملکرد بالاتر را ارائه می‌دهد. علاوه بر این، به نظر می‌رسد چگالی ترانزیستورها نیز افزایش محسوسی خواهند داشت، به طوری که بر اساس پیش‌بینی‌های این کمپانی، فضای اشغال شده توسط هر ترانزیستور 45 درصد کاهش می‌یابد.
البته خوب است بدانید این مقایسه با فرآیند تولید 7 نانومتری نامشخصی انجام شده که احتمالا از فناوری FinFET سامسونگ بهره می‌برد. فناوری 3 نانومتری جدید سامسونگ امکان پشته‌سازی ترانزیستورها بر روی یکدیگر را میسر کرده و به همین دلیل نسبت به فناوری FinFET، فضای کمتری از سطح تراشه اشغال خواهد شد.
از آنجایی که پهنای ترانزیستورها در فناوری MCBFET GAA منعطف و قابل سفارشی‌سازی است، طراح تراشه می‌تواند بر اساس سناریوهای مختلفی مانند مصرف انرژی پایین یا عملکرد بالا، نحوه قرارگیری ترانزیستورها را تغییر دهد.
منبع: techpowerup
