کمپانی توشیبا (Toshiba)، پیشرو درزمینهٔ طراحی و توسعه ذخیره‌سازهای دائمی و موقت اطلاعات، در اجلاس حافظه‌های فلش از توسعه راهکاری برای جایگذاری تعداد 5 بیت بر هر سلول بر مبنای فناوری‌های BiCS 4 رونمایی کرد. دست برتر در فرآیند فوق از طریق تغییر ماژول حافظه QLC یا به عبارتی دیگر سلول چهار سطحی در اختیار کمپانی توشیبا قرار گرفته و راهکاری نوین برای افزایش ظرفیت حافظه‌های فلش برای اولین بار به شمار می‌رود. این موضوع نمایانگر آن است که استفاده از فناوری فوق نه تنها عملی بوده، بلکه جای پیشرفت نیز دارد، زیرا تکنولوژی QLC تطابق یافته نسبت به شرایط در مقایسه با راهکار PLC از ضعف‌های ذاتی گوناگونی برخوردار می‌باشد.
به‌منظور دستیابی به قابلیت اشاره شده جهت ذخیره‌سازی یک بیت اطلاعات بیشتر در هر سلول (در مقایسه با حافظه‌های سنتی QLC)، سطح جدیدی از اصلاح ولتاژ مورد نیاز می‌باشد. سلول حافظه باید از قابلیت تغییر وضعیت خود نسبت به یکی از 32 حالت ولتاژی برخوردار باشد که این مهم ایجاد بهسازی‌هایی جهت خوانش صحیح آن توسط کنترلرر حافظه فلش را به امری ضروری مبدل می‌سازد. فرآیند فوق در کاهش کارایی و قدرت تحمل سلول تأثیرگذار بوده (همان‌گونه که افزایش ظرفیت از طریق هر رویه‌ای تأثیرگذار می‌باشد) و نیازمند ارائه راهکارهایی جهت کاهش و جبران افت کارایی می‌باشد. فناوری فوق اگرچه نمایانگر ضعف روش مطرح شده می‌باشد، اما افزایش ظرفیت ذخیره‌سازی حافظه فلش به موضوعی اساسی برای توسعه‌دهندگان تبدیل شده و لذا تأثیرات بسیاری را درزمینهٔ تولید وضعیت‌های ولتاژی متنوع و عمیق‌تر که امکان نگهداری اطلاعات بیشتری در سطح سیلیکونی یکسان را فراهم می‌آورد به خود اختصاص داده است.
چگالی بالاتر یک تراشه حافظه نمایانگر راهکاری ارزان قیمت‌تر جهت توسعه می‌باشد، اما افزایش چگالی از این طریق مستعد بروز مشکلاتی است که از زمان تغییر ساختار حافظه‌های فلش از فناوری SLC (سلول یک سطحی) به QLC (سلول چهار سطحی) تاکنون بحث‌های متفاوت و گسترده‌ای را پیرامون خود بیان داشته‌اند.
منبع: TechPowerUP
