کمپانی قدرتمند TSMC در تازه‌ترین اقدام خود از پایان مراحل طراحی و توسعه فناوری ساخت هفت نانومتر پلاس (+N7)، اولین لیتوگرافی تجاری‌سازی شده بر مبنای فناوری امواج فرابنفش شدید (Extreme Ultraviolet یا به‌اختصار EUV) خود و ارسال سفارشات به مشتریان برای تولید انبوه محصولات پرده برداشت. فرآیند تولید و ساخت فناوری ساخت +N7 کمپانی TSMC بر مبنای نودهای هفت نانومتر این شرکت صورت پذیرفته و تأثیرات قابل توجهی را در کاهش پیچیدگی مسیر پیشرو جهت دستیابی به لیتوگرافی 6 نانومتر و فناوری‌های پیشرفته‌تر به خود اختصاص داده است.
تولید انبوه فناوری ساخت +N7 در حالت کلی یکی از سریع‌ترین رکوردهای موجود را به خود اختصاص داده است. این لیتوگرافی که مراحل تولید انبوه آن در یک چهارم دوم سال 2019 میلادی آغاز شده است در حال حاضر از بازدهی مشابه با فناوری ساخت N7 که بیش از یک سال در مرحله تولید قرار داشته است برخوردار می‌باشد. فناوری ساخت مورد بحث علاوه بر مزیت‌های اشاره شده، بهبود کارایی نهایی را نیز با خود فراهم آورده است. لیتوگرافی +N7 در مقایسه با نسل پیشین آن، یعنی N7 از 15 تا 20 درصد چگالی بیشتر بهره برده و برای فعالیت به میزان انرژی کمتری نیازمند می‌باشد که دو مشخصه فوق در میان صنایع مختلف از جمله نقاط کلیدی به شمار می‌روند. فناوری EUV به کمپانی TSMC اجازه می‌دهد تا در عین کاهش مقیاس و اندازه تراشه‌های خود، امکان حفظ کارایی و عدم نیاز به کاهش امکانات را نیز برقرار سازد. طول موج‌های کوچک‌تر نور EUV امکان چاپ ویژگی‌های طراحی‌های مبتنی بر فناوری پیشرفته را در مقیاس نانومتر امکان‌پذیر ساخته و انعطاف‌پذیری فراتری را در اختیار توسعه‌دهندگان قرار می‌دهد.
ابزارهای EUV کمپانی TSMC در حال حاضر به بلوغ تولید رسیده و از توانایی کافی جهت پاسخ‌گویی به منابع مورد نیاز جهت تولید انبوه محصولات و خروجی توان بیشتر از 250 وات برای فرآیندهای روز به روز بهره می‌برند.
منبع: TechPowerUP
