کمپانی سامسونگ الکترونیکس امروز به طور رسمی اعلام کرد که تولید سومین نسل از حافظه‌های 10 نانومتری و 8 گیگابایتی DDR4 خود را برای نخستین بار آغاز خواهد نمود. تقریبا 16 ماه از زمانی که این غول فناوری تولید انبوه نسل دوم از این حافظه‌ها را آغاز نمود می‌گذرد و حالا این تولیدکننده موفق شده تا بدون استفاده از فرآیند مضر EUV توسعه و تولید سومین نسل از این حافظه‌های پرسرعت را شروع کند.
باتوجه به افزایش میزان تقاضای بازار نسبت به حافظه‌هایDRAM از نوع DDR4، فرآیند تولید جدید(1z-nm) سامسونگ 20 درصد بهره‌وری بیشتری را نسبت به فرآیند قبلی(1y-nm) ارائه می‌دهد. تولید انبوه حافظه‌های 8 گیگابایتی DDR4 تحت فرآیند جدید در نیمه دوم سال میلادی جاری آغاز خواهد شد تا احتمالا از سال 2020 در سرورهای سازمانی و کامپیوترهای شخصی رده بالا و حرفه‌ای مورد استفاده قرار گیرند.
توسعه حافظه‌های DRAM توسط فناوری بهینه شده و جدید 1z-nm مسیر پیشرفت به سمت تولید رابط‌های حافظه نسل جدید مانند DDR5، LPDDR5 و GDDR6 را هموار خواهد نمود. این نوع از حافظه‌های پرسرعت با توجه به پیشرفت روز افزون آی‌تی در سطح جهان به زودی مورد نیاز خواهند بود تا موج جدیدی از نوآوری‌ها و افزایش کارایی محصولات دیجیتال را شاهد باشیم.
حافظه‌های تولید شده تحت فناوری جدید با ظرفیت و عملکردی بالاتر به سامسونگ اجازه خواهند داد تا مزایای رقابتی خود را حفظ نموده و به پیشتازی خود در بازار حافظه‌های حرفه‌ای DRAM ادامه دهد. قابل ذکر است که این تولیدکننده کره‌ای در زمینه تولید حافظه‌های مورد استفاده در سرورها، کارت‌های گرافیکی و دستگاه‌های موبایل عملکرد بسیار خوبی داشته و یکی از تامین کنندگان اصلی در این حوزه‌ها به حساب می‌آید.
در صورتی که ماژول‌های حافظه هشت گیگابایتی DDR4 سامسونگ مورد تایید تولیدکنندگان پردازنده قرار بگیرد، این کمپانی راهکارهای مختلفی را برای به کارگیری در دستگاه‌های متفاوت ارائه خواهد نمود.
منبع: techpowerup
