سامسونگ الکترونیکس که یکی از پیشتازان در صنعت تکنولوژی‌های مرتبط با حافظه‌های پیشرفته محسوب می‌شود، امروز به طور رسمی اعلام کرد که تولید انبوه نخستین درایوهای وضعیت جامد بر مبنای فناوری QLC با ظرفیت‌های 1 تا 4 ترابایت را برای بازار مصرفی آغاز نموده است.
این درایوهای SSD جدید بر پایه حافظه‌های یک ترابایتی V-NAND با کارایی عالی و معادل با طراحی 3 بیت به ازای هر سلول تولید شده و قرار است سطحی جدید از بهینگی را برای کاربران خانگی و بازار مصرفی به همراه داشته باشد.
درایو 4 بیتی SATA SSD جدید سامسونگ ظرفیت چند ترابایتی را برای کاربران این بازار فراهم خواهد آورد. با چیپ حافظه جدید یک ترابایتی V-NAND سامسونگ قادر است به طور بهینه کارت‌های حافظه 128 گیگابایتی را برای گوشی‌های هوشمند تولید نماید.
به طور کلی، از آنجایی که اطلاعات ذخیره شده بر روی هر سلول از 3 به 4 بیت افزایش می‌یابد، ظرفیت تراشه به ازای فضای اشغال شده افزایش یافته و شارژ الکتریکی که برای تخمین اطلاعات از روی یک سنسور مورد استفاده قرار می‌گیرد نیز تا 50 درصد کاهش می‌یابد. این امر سبب می‌شود تا دستیابی به عملکرد و سرعت مورد نظر یک دستگاه دشوارتر گردد.
اما درایو وضعیت جامد ساتا 4 بیتی جدید سامسونگ که بر پایه فناوری QLC و ظرفیت چهار ترابایتی تولید شده است می‌تواند عملکردی در حد یک SSD سه بیتی را ارائه دهد. این امر به لطف استفاده از کنترلر SSD سه بیتی و تکنولوژی TurboWrite میسر شده است.
درایوهای وضعیت جامد مبتنی بر فناوری کیوال‌سی 4 بیتی قادرند سرعت خواندن ترتیبی 540 مگابایت بر ثانیه و سرعت نوشتن ترتیبی 520 مگابایت بر ثانیه را به همراه 3 سال گارانتی ارائه دهند. سامسونگ قصد دارد چندین مدل SSD چهار بیتی را امسال با ظرفیت‌های 1،2 و 4 ترابایتی و در سایز 2.5 اینچی روانه بازار کند.
منبع: techpowerup
