سخت‌افزار

اینتل قصد تولید 10 میلیون درایو QLC 3D NAND را دارد

اینتل قصد تولید 10 میلیون درایو QLC 3D NAND را دارد

هفته گذشته گروه حافظه و محصولات ذخیره‌سازی کمپانی اینتل از تولید 10 میلیون عدد اس‌اس‌دی مبتنی بر حافظه‌های جدید QLC 3D NAND در شهر دالیان چین خبر داد. فرآیند تولید این حافظه‌های ذخیره‌سازی جدید از اواخر سال 2018 میلادی آغاز شده بود و حالا به نظر می‌رسد اینتل قصد دارد از این حافظه‌های پرسرعت چهار سطحی به عنوان فناوری جریان اصلی خود در درایوهای ظرفیت بالا استفاده نماید.

دیو لاندل، مدیر اجرایی بخش برنامه‌ریزی استراتژیک درایوهای اس‌اس‌دی کلاینت‌ها و مدیر بازاریابی محصول اینتل در این خصوص گفته است که بسیاری از کمپانی‌های دیگر در رابطه با فناوری QLC اظهارنظر کرده‌اند اما در نهایت این اینتل است که چنین حافظه‌ای را به صورت انبوه تولید و به بازار عرضه نمود!

قیمت مناسب و ارزش خرید Intel SSD 660p باعث شده تا در حال حاضر تفاضای فوق‌العاده خوبی برای این درایو QLC 3D NAND در بازار وجود داشته باشد. علاوه بر این، راهکار جدید اینتل که ترکیبی از دو فناوری QLC و Optane (درایو Intel Optane Memory H10) را ارائه می‌دهد نیز با استقبال کاربران مواجه شده است.

حافظه‌های جدید QLC 3D NAND اینتل در اس‌اس‌دی Intel SSD 660p، Intel SSD 665p و Intel Optane Memory H10 به کار رفته است. فناوری QLC اینتل به صورت 4 بیت بر روی هر سلول بوده و اطلاعات را در دو چینش 64 و 96 لایه‌ای NAND ذخیره‌سازی می‌کند. اینتل این فناوری را در طی دهه اخیر توسعه داده است.

در سال 2016 مهندسین اینتل با ایجاد تغییرات بنیادین در ساختار حافظه‌ها توانستند به ظرفیت‌های ذخیره‌سازی بسیار بالاتر به ازای هر تراشه (384 گیگابایت) دست پیدا کنند. در سال 2018، حافظه‌های فلش QLC 3D NAND سرانجام به واقعیت تبدیل شد و از 64 لایه شامل چهار بیت به ازای هر سلول تشکیل می‌شد که در نهایت امکان ذخیره‌سازی 1024 گیگابایت اطلاعات را بر روی هر تراشه میسر می‌کرد. در سال 2019 اینتل با ارائه حافظه‌های 96 لایه‌ای، ظرفیت ذخیره‌سازی را باز هم افزایش داد.

منبع: techpowerup

نوشته‌های مشابه

پاسخی بگذارید

نشانی ایمیل شما منتشر نخواهد شد. بخش‌های موردنیاز علامت‌گذاری شده‌اند *