براساس گزارش تازهای از نشریه دیجیتایمز، به نظر میرسد تولیدکنندگان حافظههای از نوع NAND قصد دارند روند توسعه فناوریهای مرتبط با تولید انواع حافظههای 120 و 128 لایهای 3D NAND را تسریع بخشیده و تولید انبوه این حافظههای ذخیره سازی را در ابتدای سال 2020 آغاز نمایند.
حتی کمپانی SK Hynix که یکی از شناخته شدهترین نامها در این صنعت به حساب میآید تولید نمونههای اولیه از حافظههای فلش 96 لایهای 4D NAND را در ماه مارس آغاز کرده است. این در حالیست که کمپانیهای مطرح دیگری مانند توشیبا و وسترن دیجیتال نیز در حال حاضر بر روی تکنولوژی تولید حافظههای 128 لایهای خود کار میکنند و انتظار میرود بزودی شاهد رونمایی از آنها باشیم.
این حافظههای جدید بر پایه فرآیند تولید TLC (یا سلول سه سطحی) تولید شده و علاوه بر افزایش چگالی (نسبت ظرفیت ذخیرهسازی به ابعاد تراشه) از مشکلات آمیختگی که در حال حاضر فرآیند تولید QLC (سلول چهار سطحی) با آن مواجه است نیز جلوگیری خواهد نمود.
اینکه کمپانیهای تولید کننده این نوع از حافظههای ذخیرهسازی تصمیم به تسریع فرآیند توسعه نسل جدید حافظههای NAND گرفتهاند در واقع به دلیل این واقعیت است که بازار در حال حاضر دچار عرضه بیش از اندازه حافظههای فلش NAND شده که بیشتر بر پایه فناوری 64 لایهای به تولید میرسند.
با تکنولوژیهای جدید، ASPهای بالاتر و مقیاس تولید پایینتر قابل دستیابی بوده که امکان کاهش عرضه و در نتیجه آن افزایش نسبی قیمت حافظههای ذخیره سازی مبتنی بر این نوع تکنولوژی را برای تولیدکنندگان میسر میکند. بنابراین این تولیدکنندگان قادر خواهند بود بار دیگر قیمت گذاری مناسبی را برای حافظههای ذخیرهسازی مبتنی بر تکنولوژیهای جدیدشان را در بازار انجام دهند.
منبع: techpowerup