کمپانی سامسونگ در حال حاضر فرآیند 7 نانومتری لیتوگرافی ماورای بنفش شدید یا EUV را برای تولید چیپ‌های خود به‌کار می‌گیرد. سامسونگ از این فناوری تولید در تراشه‌هایی مانند چیپ‌های اگزینوس به‌کار رفته در گوشی‌های هوشمن دسری گلکسی اس10 نیز استفاده کرده است. اما براساس گزارشی جدید به نظر می‌رسد سامسونگ فاندری یک گام دیگر به تولید انبوه تراشه‌هایی با فرآیند تولید دقیق‌تر و ابعاد کوچک‌تر نیز نزدیک شده باشد. این فناوری تولید از نوع 5LPE یا لیتوگرافی 5 نانومتری با توان کم می‌باشد.
مشابه فناوری‌های تولید قبلی، تکنیک لیتوگرافی ماورای بنفش شدید نیز بر روی این فرآیند جدید به‌کار گرفته خواهد شد. براساس گزارشات منتشر شده سامسونگ تاییدیه‌های لازم برای تمامی ابزارها را از سوی شرکای خود دریافت نموده و آماده تولید تراشه‌های 5 نانومتری است. این یعنی احتمالا می‌توانیم تراشه‌های جدید سامسونگ با فناوری تولید 5 نانومتری را در نیمه نخست سال 2020 میلادی شاهد باشیم.
این احتمال وجود دارد که سامسونگ از این فناوری تولید جدید در قالب تراشه‌های اگزینوس جدیدی که در گوشی‌های هوشمند سری گلکسی اس11 به‌کار گرفته خواهد شد استفاده کند. چارلی بائه، نایب رییس اجرایی بخش فروش و بازاریابی کمپانی سامسونگ الکترونیکس در این خصوص گفته است:
با معرفی نود EUV سامسونگ انقلابی در صنعت نیمه‌رساناها به پا خواهد نمود. باتوجه به پیشرفتی که در نحوه بر روی هم قرارگیری ویفرها و اجزای مختلف تراشه صورت می‌گیرد مشتریان این شانس را پیدا می‌کنند تا به تولید چیپست‌های بهتر با لایه‌های کمتر و فرآیند تولید بهینه‌تر بپردازند. در حال حاضر نیز فرآیند تولید 7LPP نه تنها برای تولید چیپ‌های مورد استفاده دستگاه‌های موبایل و کامپیوترهای عملکرد بالا(HPC) گزینه‌ای ایده‌آل به‌حساب می‌آید بلکه برای طیف وسیعی از اهداف دیگر نیز می‌تواند به‌کار گرفته شود.
منبع: guru3d
