برند AORUS که در واقع یکی از زیربرندهای کمپانی بزرگ گیگابایت به حساب میآید از اس اس دی جدید خود مبتنی بر فناوری نسل چهارم NVMe و سرعت بالای 5 گیگابایت بر ثانیه خود رونمایی کرد. این ذخیرهساز جانبی از رابط اتصال PCIe Gen 4 پشتیبانی نموده و قادر است نرخ تبادل اطلاعات به مراتب سریعتری را نسبت به درایوهای مشابه مبتنی بر نسل سوم اتصال PCIe ارائه دهد. این اس اس دی همچنین به لطف طراحی هیتسینک تمام مسی آن عملکرد بسیار خوبی را از نظر خنکسازی نشان میدهد.
اس اس دی جدید AORUS مبتنی بر فناوری NVMe Gen 4 از کنترلر Phison PS5016-E16 با معماری 28 نانومتری بهره برده و از ECC پشتیبانی میکند. کنترلر PS5016-E16 همچنین 8 کانال NAND با 32 هدف CE، کش DDR4 DRAM و یک رابط اتصال PCIe 4.0 x4 را با خود به همراه دارد.
از نظر ویژگیها، چیپ به کار رفته در این درایو ذخیرهسازی از پروتکل NVMe 1.3، کد تصحیح خطا LDPC و فناوریهای مرتبط با افزایش طول عمر مفید درایو پشتیبانی میکند. در بخش حافظه، AORUS از حافظه 96 لایهای BiCS4 با فناوری 3D TLC استفاده نموده که قادر است سرعت موثر 800MT/s را ارائه دهد. این حافظههای پیشرفته و سریع وقتی با فناوری اتصال PCIe Gen 4.0 همراه میشوند سرعت فوقالعاده عالی 5000 مگابایت بر ثانیه را در هنگام خواندن و 4400 مگابایت بر ثانیهای را در بخش نوشتن در اختیار کاربر قرار میدهد.
به ادعای AORUS این SSD در واقع بهبود 40 درصدی در بخش خواندن و 30 درصدی در سرعت نوشتن را نسبت به درایوهای مبتنی بر رابطهای اتصال PCIe Gen 3 ارائه میدهد.
در طراحی بخش خارجی این اس اس دی میتوان هیتسینک تماما مسی را مشاهده کرد که تمام سطح درایو را پوشانده است. معمولا هیتسینکهای NVMe بخش جلویی را پوشانده اما بخش پشتی PCB را آزاد میگذارند. به ادعای سازنده این هیتسینک مسی تا 69 درصد رسانایی دمایی بهتری را نسبت به هیتسینکهای آلومینیومی رایج در بازار، ارائه میدهد.
منبع: wccftech